Art.Nr.: 95660
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 41A
Verlustleistung 83W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 17.5mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 42nC
2,95 EUR
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