IRF3205PBF N-FET 55V 110A 200W TO-220 0,008E

Art.Nr.: 98599

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 80A
Verlustleistung 200W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 8mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 146nC                                                                                     

Preis:

2,60 EUR

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