BS170 N-FET 60V 0,5A 0,83W TO-92 logig

Art.Nr.: 108170

Hersteller ONSEMI
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie DMOS
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 500mA
Drainstrom im Impuls 1.2A
Verlustleistung 0.83W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 5Ω
Montage THT
Verpackungs-Artunverpackt

Preis:

0,70 EUR

inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten

BS170 N-FET 60V 0,5A 0,83W TO-92 logig