Art.Nr.: 108250
Hersteller DIODES INCORPORATED
Transistor-Typ P-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung -45V
Drainstrom -0.23A
Verlustleistung 0.7W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 14Ω
Montage THT
0,95 EUR
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