IRF2807Z N-FET 75V 89A 170W 9.4mOhm TO220

Art.Nr.: 10359

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 75V
Drainstrom 89A
Verlustleistung 170W
Gehäuse TO220AB
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 9.4mΩ
Montage THT
Gate-Ladung 71nC
                                                                                   

Preis:

1,90 EUR

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