Art.Nr.: 10111
Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 30V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 2.5W
Gehäuse SO8
Montage SMD
1,50 EUR
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