IRF8707GPBF N-FET 30V 11A 2,5W SO8 SMD

Art.Nr.: 10111

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 30V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 2.5W
Gehäuse SO8
Montage SMD                                                                                     

Preis:

1,50 EUR

inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten

IRF8707GPBF N-FET 30V 11A 2,5W SO8 SMD