IRLR2905 N-FET 55V 42A 110W 13.5mOhm DPAK SMD

Art.Nr.: 10079

Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 42A
Drainstrom im Impuls 240A
Verlustleistung 110W
Gehäuse DPAK
Gate-Source Spannung ±16V
Widerstand im Leitungszustand 13.5mΩ
Montage SMD
Gate-Ladung 35nC
Verpackungs-Art Rolle
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen logic level                                            

Preis:

3,80 EUR

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IRLR2905 N-FET 55V 42A 110W 13.5mOhm DPAK SMD