Art.Nr.: 10079
Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 42A
Drainstrom im Impuls 240A
Verlustleistung 110W
Gehäuse DPAK
Gate-Source Spannung ±16V
Widerstand im Leitungszustand 13.5mΩ
Montage SMD
Gate-Ladung 35nC
Verpackungs-Art Rolle
Kanal-Art stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen logic level
3,80 EUR
inkl. 20 % MwSt. zzgl. Versandkosten