Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 55V
Drainstrom 17A
Verlustleistung 38W
Gehäuse DPAK
Montage SMD
Kanal-Art stark
Eigenschaften logic level
Diesen Artikel haben wir am 28.03.2018 in unseren Katalog aufgenommen.
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