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IRF8707GPBF N-FET 30V 11A 2,5W SO8 SMD

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Produktbeschreibung

Hersteller Infineon (IRF)
Transistor-Typ N-MOSFET
Technologie HEXFET®
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 30V
Drainstrom 11A
Verlustleistung 2.5W
Gehäuse SO8
Montage SMD                                                                                     

Diesen Artikel haben wir am 07.03.2020 in unseren Katalog aufgenommen.

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